高分辨率密度、宽视场 (FoV)、轻巧紧凑的外形以及低功耗是增强现实 (AR) 和虚拟现实 (VR) 显示器的苛刻要求。与液晶显示器 (LCD) 和
高分辨率密度、宽视场 (FoV)、轻巧紧凑的外形以及低功耗是增强现实 (AR) 和虚拟现实 (VR) 显示器的苛刻要求。与液晶显示器 (LCD) 和有机发光二极管 (OLED) 显示器相比,microLED 因其高峰值亮度、出色的暗态、高分辨率密度、小尺寸和长寿命而受到更多关注。另一方面,随着芯片尺寸的减小,microLED 效率会因侧壁缺陷而降低。因此,除了制造成本高之外,高分辨率密度和外部量子效率 (EQE) 的权衡是将 microLED 用作 AR/VR 光引擎的主要挑战。
纳米线 LED 显示出同时实现高分辨率密度和高 EQE 的巨大潜力。由于每个像素都是由亚微米纳米线阵列形成的,因此纳米线 LED 的效率与像素尺寸无关。2018 年,Aledia 报道了一种纳米线 LED,当间距尺寸从 1000 μm 减小到 5 μm 时,其 EQE 与间距尺寸无关。在不同的纳米线结构中,InGaN/GaN 线内点六角 LED 具有吸引力,因为其发射波长可以通过线径控制,并且其电性能优异。前者的特点大大降低了制造难度。然而,这些纳米线在远场中对红色、绿色和蓝色表现出不同的角度辐射模式,导致明显的角度色移。此外,定向光引擎是首选,因为 AR/VR 成像系统中的接受锥通常在 ±20° 以内。因此,应优化纳米线的几何形状,以同时实现三原色的匹配辐射模式、高光提取效率 (LEE) 和窄角度亮度分布。
本文的作者通过商业波动光学仿真软件有限差分时域(FDTD,Ansys inc.)通过 3D 偶极云优化了 InGaN/GaN 纳米线 LED 几何形状。他们基于 Ra 的实验结果提出了一种多色六角形单 InGaN/GaN 纳米线点 LED 模型。他们设置了 3D 大盒监视器和小盒监视器,分别计算发射功率和偶极子功率,通过它们的比值定义光提取效率 (LEE)。此外,远场分布图由放置在结构上方的二维功率监视器捕获。如图1(b)所示,由于六边形对称性,它们模拟了两组分别由内切圆和外接圆定义的偶极子。偶极源的发射波长遵循未过滤的测量发射光谱(图 1(c)中的实线)。没有滤色器的三个纳米线都有旁瓣发射,因为铟吸附原子扩散很难被完美控制。如图 1(c) 中的虚线所示,在应用滤色器后,这种旁瓣发射被显着抑制。
通过考虑AR成像系统接受锥,作者将有效LEE定义为±20°以内的LEE。优化后,蓝色、绿色和红色纳米线 LED 的有效 LEE 分别从 [9.3%、18.8%、30.6%] 增加到 [10.0%、25.6%、33.0%]。与尺寸相关的蓝色和绿色 InGaN µLED 相比,假设 100% 的产生光可以耦合到成像系统中,他们的蓝色纳米线 LED 显示出比台面尺寸小于 10 µm 的 µLED 更好的性能,如图所示. 3(a). 此外,图 3(b) 表明绿色纳米线 LED 的有效 LEE 甚至高于 80-µm µLED。与 AlGaInP 红色 µLED 相比,它们的红色纳米线 LED 比 20 µm 芯片尺寸的 LED 更高效(图 3(c))。值得注意的是,与 10 µm 的台面尺寸相比,蓝色纳米线 LED 提供相似的亮度,而绿色和红色纳米线 LED 的效率分别高出 1.6 倍和 1.4 倍。因此,纳米线 LED 在小像素尺寸和高分辨率密度下表现出明显高于 µLED 的效率。
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