AppleA17Bionic的性能提升可能低于最初预期

台积电3纳米节点的问题可能迫使苹果调整A17仿生的性能目标。最初的谣言表明这个数字可能在20%左右，但现在可能会更低。

过去几周，互联网上一直流传着明年的旗舰移动AP(AppleA17Bionic和QualcommSnapdragon8Gen3)的暂定性能数据。不出所料，前者将击败后者，主要是因为它采用台积电的尖端3纳米工艺制造。相比之下，据传后者坚持使用5纳米衍生产品(N4P)。然而，泄露A17BionicGeekbench分数的泄密者@tech_reve现在修改了他们最初的说法。

泄密者表示，由于台积电的N3B节点没有按计划进行，苹果闪亮的新SoC可能提供比最初预期低20%的性能提升。由于FinFET的持续问题，该芯片制造商降低了产量和性能目标。另一位泄密者RGCloudS插话说，FinFET不适合4纳米以下的晶体管，这可能迫使台积电做出上述改变。

也就是说，由于Apple在芯片设计领域的卓越表现，A17Bionic仍应提供比其前身令人满意的性能提升。Snapdragon8Gen3的估计性能数据处于“好得令人难以置信”的范围内。如果没有重大的节点转移和全新的CPU核心设计，它们就无法实现。此外，2024年也标志着三星九核Exynos2400的回归，从理论上讲，它应该至少可以让高通和联发科抢钱。