SK海力士宣布推出用于智能手机的LPDDR5T内存最高可达9.6GBPS

半导体制造商SK 海力士刚刚宣布了其用于手机的新一代 LPDDR5T 型 RAM 存储器，其数据传输速度高达 9.6 Gbps。

这款新硬件的性能优于三星的 LPDDR5X，其速度高达 8.5 Gbps，因此差异非常明显。

SK 海力士声称其新内存比以前的型号快 13%，而其超低电压为 JEDEC 定义的 1.01 至 1.12V，这意味着由于众所周知的 HKMG 生产工艺，它的功耗更低。 -K 金属门。

需要注意的是，HKMG 是一种在 DRAM 晶体管内部的绝缘膜中使用具有高介电常数的材料的工艺，以避免泄漏电流并提高芯片的电容，从而提高速度效率。

已经确认，这些RAM存储器将从2023年下半年开始量产，将采用1nm制程，即第四代10nm工艺。

LPDDR5T RAM 将专门用于具有 5G 连接、人工智能、增强现实和机器学习的智能手机。这是 SK 海力士的新硬件，将有助于创造更快、更高效的手机。