VisIC Technologies Ltd。成功测试了其 2 2mΩ 650V 半桥电源模块,该模块由 4 个并联的 8mΩ 功率 FET 组成,采用三
VisIC Technologies Ltd。成功测试了其 2.2mΩ 650V 半桥电源模块,该模块由 4 个并联的 8mΩ 功率 FET 组成,采用三相配置,在一家主要汽车 OEM 的测功机测试台上使用 PMSM 电机。
正因如此,VisIC Technologies 已证明其 D³GaN(直接驱动 D 型氮化镓)半导体技术非常适合最具挑战性的大功率汽车应用。由快速切换瞬态引起的并行化和振荡问题已经得到解决。
逆变器相电流在 400V 时达到 350Arms(500A 峰值),尽管测试系统设置限制阻止了更高的电流,而 2.2mΩ 电源模块能够做到这一点。
尽管使用了早期未优化的模块原型,但执行了全球协调轻型车辆测试程序 (WLTP) 驾驶循环测试并实现了与商业碳化硅模块相当的效率。这意味着 D³GaN 将兑现其最高效率的承诺,通过更轻、更小的电源系统和更小的电池尺寸降低汽车成本,而不会影响汽车的行驶里程。此外,基于硅基氮化镓半导体工艺的 D³GaN 技术在更具竞争力的硅成本水平上提供了优于碳化硅 (SiC) 的性能。
VisIC Technologies 的首席执行官兼联合创始人Tamara Baksht博士说:“凭借这一获得领先汽车 OEM 认可的伟大成就,VisIC Technologies 为汽车世界以更低成本的未来 EV 牵引逆变器提供了更高效率的压倒性证据。” VisIC 技术。“汽车市场需要高功率、高电压、高可靠性的 GaN,而我们的 D³GaN 芯片和模块解决方案就是答案。”
到 2023 年第二季度末,VisIC Technologies 的三相原型逆变器系统将可用于在其他客户站点进行测试。
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