半导体制造过程中的硅晶片清洗工艺包括_半导体制造过程中的硅晶片清洗工艺

摘要

在许多半导体器件的制造中，硅是最令人感兴趣和最有用的半导体材料。在半导体器件的制造中，各种处理步骤可以分为四类，即沉积、去除、图案化和电特性的改变。在每个步骤中，晶片清洗是开发半导体电子器件的第一步，也是最基本的一步。清洗过程是在不改变或损坏晶片表面或衬底的情况下去除化学物质和颗粒杂质。

介绍

半导体是固体物质，导电性介于绝缘体和导体之间。半导体材料的定义属性是，它可以掺杂杂质，以可控的方式改变其电子属性。硅是开发微电子器件最常用的半导体材料。半导体器件制造是用于制造集成电路的工艺，集成电路存在于日常的电气和电子设备中。在半导体器件的制造中，各种处理步骤可以分为四类，例如沉积、去除和划线。

硅片清洗程序RCA清洗

RCA清洗是从硅片上去除有机物、重金属和碱离子的“标准工艺”。在这里，通过超声波搅拌去除颗粒。图2讨论了RCA清洗方法。在第一步中，硫酸与过氧化氢的比例为11-14。将晶片在100-150下浸泡10分钟。这个过程也被称为pirhana清洗。然后将晶片浸泡在氢氟酸(HF)溶液中1分钟，其中HF与H2O的比例为110。

超声波和超声波清洗

如图1所示。不同类型的污染物、它们的来源及其对硅片的影响

如图2所示。详细的RCA清洗流程。

结论

污染物[18-19]出现在微电子集成电路的制造过程中。清洗是去除晶片污染物的最理想的工艺之一。所有的清洗过程都是在一个洁净室中进行的。回顾唐子红