三星860QVO1TB版固态硬盘评测，值不值得买

很多朋友对三星860QVO1TB版固态硬盘评测，值不值得买不是很了解，六月小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

作为目前SSD和大部分存储设备的技术基础，闪存颗粒的价格必然会随着技术的进步向更便宜的方向发展。不久前，TLC闪存一出，一度引发了延续至今的争论。当我们还沉浸在MLC或TLC的选择中时，更“疯狂”的QLC闪存已经来到我们面前。我们刚刚从三星拿到了一台容量为1TB的860QVO，这是三星第一款采用QLC闪存颗粒的SSD产品。

那么它的性能如何呢？

什么是QLC？

NAND闪存的基本单位称为单元。如果每个单元只存储一个234比特的数据，即传统的SLC(单级单元)粒子，如果存储两个比特的数据，则称为MLC(多级单元)粒子，以此类推。TLC(三值单元)是3位，而QLC每个单元中的数据达到4位。随着位数的增加，好处是同样大小的颗粒可以存储更多的数据，从而实现SSD容量的大规模提升。

这样做的副作用是更复杂的寻址导致的快速老化和相同容量下的较低性能。

三星首款QLC SSD ——860QVO860QVO是三星首款QLC闪存产品。考虑到QLC的特点，为了达到更高的性能，三星选择了大容量策略，容量1TB，最大4TB。目前只列出了2.5寸SATA3接口的版本，M.2接口和MSATA接口的版本还没有列出。

拆开外壳，我们可以看到，这款1TB容量的SSD产品，只用了一块仅比两张标准SD卡大一点的PCB。更夸张的是，1TB的容量是用单芯片封装实现的。

这款64层堆叠的4位MLC (QLC) NAND芯片容量为1TB！官方保修的寿命是360TBW或者三年，也就是360次满写，是860EVO 600TBW同样容量的一半。但是如果算上的话，每天的写入量需要达到328GB，三年才能消耗完。这样的生活显然是很充足的。背面还有一个空的焊接位置。估计2TB版本会共用同一块PCB。主控制器采用三星MJX主控制器，基于ARM架构，与860evo为同系列产品。

860QVO使用1GB DDR4缓存。此外，三星还准备了6GB模拟SLC缓存和36GB-72GB智能缓存，保证日常速度。官方标称数据方面，1TB版本的连续读取性能为550MB/s，连续写入性能为520mb/s.4K随机读写(QD32)性能达到96K和86K IOPS。基准性能测试显示支持S.M.A.R.T，NCQ，TRIM的功能，DevSleep也不缺席。

首先是ASSD娱乐基准。可见，连续书写和4K性能与普通SATA TLC产品无异。可以看出，4K的性能约为91K和86K IOPS，接近标称值。在CrystalDiskMark中，性能也相当一致，560 MB/s和528MB/s的跑分都超过了官方数据。TxBench的跑分也是560MB/s和528 MB/s.4K的表现也达到了名义值。ATTO的测试成绩也是560MB和528MB/s，非常一致。

三星的魔术师工具还提供了快速模式的选项，使用部分内存作为SSD缓存，从而实现了显著的性能提升。开启快速模式后，连续读写和4K性能都有非常夸张的性能提升。大容量写入性能测试

以上是我们在SSD上的一些日常跑分，但这些都是在SLC缓存和智能缓存范围内进行的测试。性能好意味着日常使用体验好。但是如果超过这部分缓存，QLC的性能能满足需求吗？让我们做一些相关的测试。

首先，我们进行全磁盘写入，我们可以看到写入性能在80GB左右大幅衰减，这意味着它超出了模拟缓存的范围。SLC缓存填满后，三星860QVO的写入性能会降低到75MB/s左右.我们将一个包含154个文件、总容量为50.3GB的文件夹从高性能NVME SSD复制到860QVO。可以看到，在7GB左右，写入性能明显下降，从500MB的速度下降到75.8MB/s，真实地展示了QLC粒子的性能。

综上，根据我们的测试，如果是小文件的日常读写，游戏和软件所需的零碎文件的读写，采用智能缓存技术的860QVO是可以满足需求的。而且和普通TLC SSD没有明显区别。但不可否认的是，QLC粒子的特性决定了超过SLC缓冲后的写入性能仅相当于机械硬盘，不适合大文件的连续写入。它更适合作为仓库磁盘存储冷数据。

以上知识分享希望能够帮助到大家！