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电容的原理是什么,电容的原理和性质详细分析

2024-01-27 15:14:01科技漂亮的斑马

很多朋友对电容的原理是什么,电容的原理和性质详细分析不是很了解,六月小编刚好整理了这方面的知识,今天就来带大家一探究竟。为了分析电

电容的原理是什么,电容的原理和性质详细分析

很多朋友对电容的原理是什么,电容的原理和性质详细分析不是很了解,六月小编刚好整理了这方面的知识,今天就来带大家一探究竟。

为了分析电路中电容器合适的数学模型,本次对电容器的原理和性质进行了探讨。(1)电容定义电容确定公式:C=S/(4kd)注:电容C由电容器本身的结构因素决定,与Q和u无关,电容是描述电容器储存电荷的容量的物理量。4.Xc=1/(2fC) (Xc为容抗)[1] (2)电容器的一般结构模型图1 Mutara数据表中的图片电容器基本由金属片、电介质和导电聚合物组成。

1)金属片通常是阳极,位于电路中正电荷聚集的一侧;2)电介质是绝缘(非绝对的),以隔离正负电荷的循环;3)负电极通常是导电聚合物。(3)电解电容内部实物图,拆开看。

曾经有过这样的工作经历,一个客户的电线靠近电解电容,被电线的高温熔化了电容的绝缘,电容的铝壳漏了出来。供应商销售经理说负极接一个铝壳(我测了一下不是直接接的,有2V左右的电压,然后工作时碰到外壳就带电了),另一根线不要喷到电容外围,或者电容要两层绝缘。

后来我找到了供应商的技术部长,部长建议电容不要高温烘烤,即使还能正常使用,电源的引脚和PCB的焊盘最好加绝缘垫片。

为了探究电容的原理,拆了几个电容,有化学的味道,里面的结构基本和图2一样。(4)电容特性1、零电位时,电容器的正负极不带电,呈中性。

2、有电位差时,高电动势指向低电位(高到低电流),正电荷不动,电子从高电位向低电位移动。此时,由于电介质绝缘阻止了电子在电容器的阳极和阴极内层之间渗透,阳极中的电子通过电缆被驱动到阴极,阴极中的电子被积累。此时,阳极为正电,阴极为负电。

3、电容器两端加电位差的充放电时间,uo=ui-ui * e (-t/(RC)),RC为积分时间常数。一般取Uo=Ui*95%(估计95%-98%)作为充满电时间,工作时通常选择3RC-4RC作为充满电时间。这里软件模拟的充电时间是5.03ms=5RC=5*1000*10,也就是5次,放电时间是2.5次。(图4软件:tian-ti)4、电流超前电压90。(软件:LTspice)(图5软件:LTspice)

5、电容器两端的电压不会突然改变。电容器的充放电与电位差有关。电容一旦饱和,就不会再充电(跨直流电),通过不同的充放电形式输出不同的波形。【电容充电过程不等同于短路,充满不等同于开路】

6、电容器的内层在结构上是绝缘的,但由于工艺性能、电介质的极化效益和离子漂移,通过电容器的电流很小,应该是电路中的漏电流现象。7、电容器的种类很多,材质也不一样,电容差别有时候会有点大。8、普通贴片电容的寄生电感主要由几个方面组成:(1)引线带来的寄生电感因为电容需要通过引线连接到电路上;

(2)由于电极表面存在电流,电极表面存在串联电感(ESL),必然会带来电感;(3)由于材料的介电损耗而产生的电感。[2]

9、集成电路可视为等效的电流或电压源。为了将噪声降至最低,供电网络的阻抗应尽可能小。在一定频率范围内,增加去耦电容可以有效降低网络阻抗。但在实际应用中,由于电容固有的寄生电感和电阻,并且这些寄生参数会随着频率的增加而增加,特别是在高频高速工作状态下,电容的这种去耦作用甚至会消失。

一般来说,电容越大,体积越大,寄生电感越大。为了降低供电网络的阻抗,理想的去耦电容是电容越大,寄生电感越小,体积越小,以接近集成电路的电源和接地入口。[3]

10、电容器理论上不产生也不消耗能量,是储能元件。其实就是热,不同产品的热值自然不一样。我曾经在某个烤机里测过40摄氏度的温度。

11、电容可以提高效率和功率因数。一个是LCC电路。拓扑上,变压器的漏电感和电容可以形成谐振电路。当然,多几个电容电感也是可以的,就看怎么算了。根据能量守恒和定积分的分析,如果在停机过程中,电压和电流都投射到最小的区域,那么它们的面积会更小,损耗也会更小。

如果在传导过程中,电压和电流都以最大值投射到该区域,它们的面积将更大,能量转换将更有效。其次,比如感性负载的电压超前可以结合电容的电流超前进行补偿,最终使电压和电流的投影面积更大,减少不必要的无功功率,提高有功功率比。功率因数在数学理论上是100%,但在实际中是有限的。经常看到积0.85。

12、电容器必须有漏电流,没有电介质是完全绝缘的。如果漏电流过大,可能会出现“雪崩现象”,电容失效甚至短路。与前面的电路一样,将串联使用3V/ohm电阻阻抗匹配。等一下。(5)电容器放置位置不同,名称不同。【1】去耦,在电源输出端并联一个合适的电容,就像蓄水池的缓冲作用一样,可以大大降低负载波动对电源的影响,这就是去耦。[4]

【2】 谐振,如单片机外界无源晶振和负载电容组成谐振电路,给单片机提供时钟信号。

【3】 移相,全桥的ZVS拓扑结构。

【4】 旁路,IC电源旁边的104或者105电容。

【5】 滤波,射频电路、高频信号的串接电容,如组成基本的LPF、HPF、BPF、BEF滤波电路等。

【6】 储能,超级电容维持断电后的续能作用。

等等。

(6)电容应用

(图6 Mutara的DATASHEET里面)

此图来源于Mutara datasheet,主要特点就是电流上升过程,当供能不足时,电压会被拉低。

1、地和大地PE并联电阻和电容。102、103 1KV 1M经典配置。

2、104、105、106,摆放位置以滤除高频优先。

3、相位补偿、功率补偿等等。

总结:

1、一般电容内部模型构想,整体有两个储存电能的容器,中间绝缘,理论上是没有电子通往,受到电场作用。工作时是一个充电和放电的过程。2、充放电公式:Uo=Ui-Ui*e^(-t/(RC))3、Xc=1/(2fC) (Xc是容抗)

4、没有新发现。

以上知识分享希望能够帮助到大家!

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