三极管自制稳压电路，三极管稳压电路仿真分析设计方案

很多朋友对三极管自制稳压电路，三极管稳压电路仿真分析设计方案不是很了解，六月小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

1、稳压原理R3和Z1组成一个简单的稳压电路。当VIN的电压高于Z1的稳压值Vz时，Z1的阴极稳定在VZ；Z1的阴极接三极管的基极，三极管E的发射极为输出，这样就形成了射极跟随器。也就是说，电极E的电压随着B的电压变化而变化，BE之间有一个电压降，对于一个硅管来说是0.7V左右。假设B电极为6.7V，E电极为6.7-0.7=6V，那么可以得出VOUT=Vz-Vbe，可以根据VOUT选择合适的稳压。2、模拟分析

以下是用Tina-TI的模拟实验。Z1为5.1V稳压器，限流电阻R1为1.25K，输入V1=30V，仿真结果VF1=4.36V我们发现这个电路可以使用。那么有人会说，晶体管导通后，30V直接从CE到VF1，为什么输出还是4.36V？

三极管导通后，E点的电压会上升。当达到Vbe 0.7V时，三极管截止，IC电流急剧下降，E点电压急剧下降。当E点的电压下降到Vbe=0.7V时，三极管再次导通，E点的电压上升。当VBE为0.7V时，三极管会再次关断。该循环将使E点的电压保持在4.36伏。3、确定R1的电阻

以下是齐纳二极管的特性曲线。结合图表，可以更好的理解参数。齐纳二极管的击穿面积为Izt~Izm，在此范围内，齐纳二极管的稳压效果最好。从调压器的说明书中我们可以看到，参数Vz@Izt是指当Izt=20mA时，调压器值Vz=5.1V，也就是说流经调压器的电流在20mA以上，调压效果最好。

再看上面的仿真图，忽略流入晶体管基极的电流，可以算出R1(30-5.1)/20mA=1.245K，但是R1的下限是多少？R1的下限取决于Izm，齐纳二极管有一个参数耗散功率Pd，正常工作时不能超过。因为稳压值为5.1V，流经齐纳二极管的最大电流为Izm=500/5.1=98mA，所以R1的最小值为：(30V-5.1V)/98Ma=0.25K

仿真再次显示，R1改为2K，施加在调压管上的电流减小，VF2变为5V，VF1变为4.26V，稳压效果不如R1=1.25K，验证了上述理论。4、电阻R1的功率是根据R1=1.25K和齐纳二极管的击穿电流Izt=20mA计算的，所以加到R1上的功率是P=0.02*0.02*1250=0.5W，所以R1的功率需要在0.5W以上，否则电阻可能损坏。

以上知识分享希望能够帮助到大家！