光刻技术常见方法包括，光刻技术常见方法

很多朋友对光刻技术常见方法包括，光刻技术常见方法不是很了解，六月小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

光刻是通过一系列生产步骤去除晶圆表面薄膜特定部分的过程。此后，晶圆表面会留下一层具有微图案结构的薄膜。去除的部分可能是薄膜中的孔或残留岛的形式。

根据曝光方式的不同，可分为三种光刻技术：接触光刻、接近光刻和投影光刻。

接触式光刻技术中，涂有光刻胶的硅片与掩模版直接接触。由于光刻胶和掩模之间的紧密接触，可以获得相对较高的分辨率。接触式曝光的主要问题是容易损坏掩膜板和光刻胶。当掩模板与硅片接触并对准时，硅片上的细小灰尘可能会对掩模板造成损坏，以至于以后所有的掩模板都要用到。这种缺陷会出现在暴露的硅片上。因此，采用接触光刻技术很难获得无缺陷的VLSI芯片，因此接触光刻技术一般只适用于中小型集成电路。

接近曝光与接触曝光类似，只是曝光时硅片与掩模版之间有一个很小的间隙。这个间隙一般在10~25微米之间，这个间隙可以大大减少对掩模版的影响。损害。接近式曝光的分辨率较低，一般在24微米之间，因此接近式光刻机只能组装在大特征尺寸的集成电路生产线上。接触式或接近式光刻机的主要优点是生产效率更高。

投影曝光是利用透镜或反射镜将掩模版上的图案投影到基板上的曝光方法。在这种曝光方法中，由于掩模版与硅片之间的距离较长，因此可以完全避免掩模版的损坏。为了提高分辨率，在投影曝光中，每次只曝光硅片的一小部分，然后通过扫描和重复步骤曝光整个硅片。在现代集成电路技术中，使用最多的光刻系统是步进投影光刻机。采用步进投影光刻机，结合相移掩模等技术，获得了最小线宽为0.10微米的图案。

半导体光刻法是先在半导体硅上生成氮化硅，然后在氮化硅上涂敷光刻胶并进行光刻得到沟道，然后去除光刻胶，然后在器件表面镀上二氧化硅，填充特定区域在具有许多规则排列的点状辅助标记的二氧化硅上，然后根据辅助标记的位置，通过蚀刻和化学机械抛光工艺去除氮化硅层、二氧化硅层和以上辅助标记，最后镀膜在通道之间涂上光刻胶并进行后续工艺。本发明通过增加辅助标记大大降低了CMP工艺对叠层测量的影响，保证了叠层测量的准确性，从而提高了芯片的良品率。

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